MOS管的阈值电压受衬底偏置电压的影响，我们可以通过调节衬底电位来间接调节电路的漏电流功耗和门延时
举一反三
- 衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）
- 当MOS管的衬底引线单独引出时，应将其接到电路中的电位最低点（对N沟道MOS管而言）或电位最高点（对P沟道MOS管而言），以保证沟道与衬底间的PN结处于反向偏置，使衬底与沟道及各电极隔离。
- 当MOS管的衬底引线单独引出时，应将其接到电路中的电位最低点（对N沟道MOS管而言）或电位最高点（对P沟道MOS管而言），以保证沟道与衬底间的PN结处于反向偏置，使衬底与沟道及各电极隔离。 A: 正确 B: 错误
- 衬底掺杂浓度越低，多数载流子的浓度也越低，使衬底表面耗尽和反型所需的电压VGS越小，即MOS管的阈值电压值越小。
- （2）MOS管在正常工作时，栅极和衬底之间只有电压没有电流。 A: Yes B: No