若是N型Si衬底的MOS结构，当其栅极施加正偏压时，半导体表面附近会形成一层电子积累层。
举一反三
- N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加 偏压时，半导体表面附近会形成一层 层。 A: 正，电子积累 B: 负，电子积累 C: 正，空穴反型层 D: 正，电子反型层
- 在MIS结构中,当电场垂直金属层指向半导体层时,下列描述中错误的是( ) A: 对于N型半导体,在表面层形成电子的积累层。 B: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的积累层。 C: 对于P型半导体,在表面层可能形成由电子组成的反型层。 D: 对于P型半导体,在表面层形成空穴的耗尽层。
- P型硅作为MOS器件的衬底，当金属电极上施加正偏压，形成的势阱能吸引带正电的多数载流子空穴。
- 对于P型衬底的MOS结构，栅电压大于零时，半导体表面处于多子积累状态。
- MOS电容器的基本结构包含______ A: 金属（栅极/电极） B: 氧化物（SiO2） C: 半导体（Si衬底） D: 以上都不是