下列关于磁阻元件的说法错误的是
A: 常见的磁阻元件有长方形磁敏电阻元件、科宾诺元件、InSb-NiSb共晶磁阻元件
B: 长方形磁阻元件在弱磁场作用下磁敏电阻与磁场强度呈线性关系
C: 长方形磁阻元件在外加磁场作用下，物理磁阻效应和几何磁阻效应同时存在
D: InSb-NiSb共晶材料的特点是在InSb的晶体中掺有NiSb，在结晶过程中会析出NiSb针状晶体
A: 常见的磁阻元件有长方形磁敏电阻元件、科宾诺元件、InSb-NiSb共晶磁阻元件
B: 长方形磁阻元件在弱磁场作用下磁敏电阻与磁场强度呈线性关系
C: 长方形磁阻元件在外加磁场作用下，物理磁阻效应和几何磁阻效应同时存在
D: InSb-NiSb共晶材料的特点是在InSb的晶体中掺有NiSb，在结晶过程中会析出NiSb针状晶体
举一反三
- 下列关于磁阻元件的叙述中，不正确的是_________： A: 在弱磁场中，电阻与磁场呈平方特性；在强磁场中，电阻与磁场呈线性特性。 B: 在弱磁场中，电阻与磁场呈线性特性；在强磁场中，电阻与磁场呈平方特性 C: 为了提高灵敏度，磁阻元件通常都做的很薄 D: 磁阻元件的工作基础是磁阻效应
- 利用磁阻效应制成的磁敏电阻元器件叫作磁阻元件，简称（） A: MAF B: MRE C: NTC D: MAP
- 简述磁阻效应和半导体磁敏电阻元件的主要类型。
- 磁阻效应实验中，磁阻元件的电阻变化量在弱磁场条件下与磁感应强度的变化呈什么关系？ A: 指数关系 B: 线性关系 C: 二次方关系 D: 正弦函数关系
- 磁阻元件的阻值与元件的几何尺寸有关系,()磁阻效应最显著。 A: 圆盘形样品 B: 扁条样样品 C: 长方形样品 D: 圆柱形样品