下列关于磁阻元件的说法错误的是 A: 常见的磁阻元件有长方形磁敏电阻元件、科宾诺元件、InSb-NiSb共晶磁阻元件 B: 长方形磁阻元件在弱磁场作用下磁敏电阻与磁场强度呈线性关系 C: 长方形磁阻元件在外加磁场作用下,物理磁阻效应和几何磁阻效应同时存在 D: InSb-NiSb共晶材料的特点是在InSb的晶体中掺有NiSb,在结晶过程中会析出NiSb针状晶体
下列关于磁阻元件的说法错误的是 A: 常见的磁阻元件有长方形磁敏电阻元件、科宾诺元件、InSb-NiSb共晶磁阻元件 B: 长方形磁阻元件在弱磁场作用下磁敏电阻与磁场强度呈线性关系 C: 长方形磁阻元件在外加磁场作用下,物理磁阻效应和几何磁阻效应同时存在 D: InSb-NiSb共晶材料的特点是在InSb的晶体中掺有NiSb,在结晶过程中会析出NiSb针状晶体
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