（）表示国际标准书号。 A: ISNB B: INSB C: ISBN D: ISSN

除本征光电导探测器和杂质光电导探测器外，还有一种光电导探测器叫做自由载流子型光电导探测器，这种探测器用具有很高迁移率的半导体材料（如InSb）制成。它吸收辐射引起其导带内电子的带内跃运，改变电子的迁移率，因而改变材料的电导事，其典型光谱响应在[tex=6.857x1.214]AEpe4RGHS1LOe1WXEoluM9FMojUjEzy+Af+/aignpbk=[/tex]试比较这三种光电导探测器光谱响应范围的差别。

2022-06-04 问题

下列关于磁阻元件的说法错误的是 A: 常见的磁阻元件有长方形磁敏电阻元件、科宾诺元件、InSb-NiSb共晶磁阻元件 B: 长方形磁阻元件在弱磁场作用下磁敏电阻与磁场强度呈线性关系 C: 长方形磁阻元件在外加磁场作用下，物理磁阻效应和几何磁阻效应同时存在 D: InSb-NiSb共晶材料的特点是在InSb的晶体中掺有NiSb，在结晶过程中会析出NiSb针状晶体

下列关于磁阻元件的说法错误的是 A: 常见的磁阻元件有长方形磁敏电阻元件、科宾诺元件、InSb-NiSb共晶磁阻元件 B: 长方形磁阻元件在弱磁场作用下磁敏电阻与磁场强度呈线性关系 C: 长方形磁阻元件在外加磁场作用下，物理磁阻效应和几何磁阻效应同时存在 D: InSb-NiSb共晶材料的特点是在InSb的晶体中掺有NiSb，在结晶过程中会析出NiSb针状晶体

（）表示国际标准书号。 A: ISNB B: INSB C: ISBN D: ISSN

以下材料不可用作红外探测器的是（） A: 硫化铅 B: 硝酸银 C: HgCdTe D: InSb

制作霍尔元件的主要材料有（ ）、（ ）、（ ）等。 A: GaAs(砷化镓) B: InSb(锑化铟) C: Si(硅) D: 以上都是

下列材料中,属于半导体材料的有() A: Si和Ge B: 砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb) C: 碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)

下列掺杂半导体属于n型半导体的是（） A: In掺杂的Ge B: As掺入Ge C: As掺入Si D: InSb中，Si占据Sb的位置 E: GaN中，Mg占据Ga的位置

因材料温度系数的不同，由GaAs（砷化镓）半导体材料制作的霍尔元件适合选用恒流驱动方式；而由InSb（锑化铟)半导体材料制作的霍尔元件适合选用恒压驱动方式。

制作霍尔元件的主要材料有（）、（）、（）等。 A: GaAs(砷化镓) B: InSb(锑化铟) C: Si(硅) D: 以上都是