三极管具有电流放大作用的内部条件是发射区高掺杂,基区低掺杂且薄,集电结截面积大。
举一反三
- 三极管放大的内部条件是:发射区掺杂浓度高、基区薄且掺杂浓度低集电结面积大;外部条件是 和 。
- 为什么晶体三极管发射区要高掺杂,基区薄且低掺杂,集电结面积大且集电区低掺杂呢?{
- 从提高三极管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,掺杂浓度很低外,工艺上还要采取如下措施中的( )。 A: 发射区掺杂浓度高,集电结面积小 B: 发射区掺杂浓度高,集电结面积大 C: 发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D: 发射区掺杂浓度低,集电结面积大
- 从提高晶体管放大能力出发,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外,工艺上还要采取如下措施 。 A: 发射区掺杂浓度高,集电结面积大 B: 发射区掺杂浓度高,集电结面积小 C: 发射区掺杂浓度低,集电结面积小 D: 发射区掺杂浓度低,集电结面积大
- 从三极管内部制造工艺来看,发射区__,基区__。( ) A: 高掺杂,很薄 B: 很薄,高掺杂 C: 高掺杂,面积大 D: 面积大,高掺杂