三极管放大的内部条件是：发射区掺杂浓度高、基区薄且掺杂浓度低集电结面积大；外部条件是 和 。
举一反三
- 三极管具有电流放大作用的内部条件是发射区高掺杂，基区低掺杂且薄，集电结截面积大。
- 从提高三极管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，掺杂浓度很低外，工艺上还要采取如下措施中的（ ）。 A: 发射区掺杂浓度高，集电结面积小 B: 发射区掺杂浓度高，集电结面积大 C: 发射区掺杂浓度低，集电结面积小 D: 发射区掺杂浓度低，集电结面积大
- 晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。 A: 内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度 B: 内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度 C: 外部条件，发射结正偏，集电结反偏 D: 外部条件，发射结反偏。集电结反偏
- 从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施 。 A: 发射区掺杂浓度高，集电结面积大 B: 发射区掺杂浓度高，集电结面积小 C: 发射区掺杂浓度低，集电结面积小 D: 发射区掺杂浓度低，集电结面积大
- 晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。 A: A内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度 B: B内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度 C: C外部条件，发射结正偏，集电结反偏 D: D外部条件，发射结反偏。集电结反偏