光反射引起的光刻胶反射切口可以通过哪种方法减缓或消除（ ）
A: 曝光后烘烤
B: 涂覆底部抗反射图层
C: 涂覆顶部抗反射图层
D: 增加光刻胶厚度
A: 曝光后烘烤
B: 涂覆底部抗反射图层
C: 涂覆顶部抗反射图层
D: 增加光刻胶厚度
A,B,C
举一反三
- 在光刻工艺中，涂覆光刻胶主要采用旋转涂覆法。为便于夹取，光刻胶经硬烘烤后，需要将晶圆四周的光刻胶用物理方法除去。
- 光刻工艺中,在对衬底进行表面处理并旋涂光刻胶后需要进行烘烤,以去除光刻胶中的溶剂、消除胶层内应力,这一步称为(______ )或软烘;之后在光刻机上进行对准和曝光,曝光之后一般还要进行一次烘烤,以减轻驻波效应,这一步称为(______ );显影之后要进行一次烘烤,以消除显影过程中带来的水分并增强光刻胶的粘附性和抗刻蚀性,这一步称为(______ )。
- 光刻工艺中“涂胶”的是（ ） A: 在玻璃表面涂光刻胶 B: 在边框处涂封框胶 C: 在灌注口涂封口胶 D: 在引线连接部位涂银点胶
- 对一款光刻胶采用不同匀胶工艺涂覆虽然其获得的胶厚不同但所需的曝光剂量却相同。
- 对一款光刻胶采用不同匀胶工艺涂覆虽然其获得的胶厚不同但所需的曝光剂量却相同。 A: 正确 B: 错误
内容
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光刻工艺所需要的三要素为: A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 C: 光源、光刻胶和曝光时间 D: 光源、光刻胶和掩模版
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解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
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光刻技术的原理和印刷的照相制版相似，即在硅基材料上涂覆光刻胶，接着利用分辨率极高的能量束来通过掩模，对光刻胶层进行选择性曝光。经显影后，在光刻胶层上获得和掩模图像相同的极微细的几何图形，再利用刻蚀等方法在工件材料上制造出微型结构。
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曝光后，光刻胶的溶解性由不溶变成可溶，通过显影可以将其曝光部分去除，这种胶称为 A: 正胶 B: 负胶 C: 光致抗蚀剂 D: 光阻
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光刻工艺所需要的三要素为： A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光源、光刻胶和曝光时间 C: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 D: 光源、掩模版和超净间 E: 光源、光刻胶和掩模版