如果将磷元素作为微量杂质掺入硅半导体晶体中，以下叙述错误的是（ ）。
A: 磷为施主杂质
B: 形成N型半导体
C: 电子浓度远远高于空穴浓度
D: 杂质电离后成为正电中心
A: 磷为施主杂质
B: 形成N型半导体
C: 电子浓度远远高于空穴浓度
D: 杂质电离后成为正电中心
举一反三
- 以下哪种情况下，半导体为N型的？? 本征半导体中掺入施主杂质。|半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度等于受主浓度。|半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，且施主浓度大于受主浓度。|本征半导体中掺入受主杂质。
- 磷可以作为杂质掺入硅半导体中，以下说法正确的是 A: 是深能级杂质 B: 是间隙杂质 C: 是施主杂质 D: 电离后带负电
- 关于杂质半导体，下列描述正确的是（ ） A: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； B: 在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子； C: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子； D: 在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。
- 以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 A: 纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B: 实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。 C: 本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D: 本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。 E: n型半导体依靠导带电子导电。 F: p型半导体依靠价带空穴导电。 G: 本征半导体中载流子由本征激发产生。 H: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I: 施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J: 受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。 K: 杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生。 L: 杂质半导体中也存在本征激发的过程。
- 2、以下半于杂质半导体，说法不正确的是 A: N型半导体中多子是电子，少子是空穴 B: P型半导体可以掺磷（P）得到 C: P型半导体主要靠空穴导电 D: 向硅中掺入施主杂质可以得到N型半导体