以下能够有效增加npn晶体管输出电阻的途径为
A: 增加发射区掺杂浓度
B: 增加基区掺杂浓度
C: 增加集电区掺杂浓度
D: 减少发射结结深
A: 增加发射区掺杂浓度
B: 增加基区掺杂浓度
C: 增加集电区掺杂浓度
D: 减少发射结结深
举一反三
- 下面哪一种方法是不能提高npn晶体管的发射效率 A: 提高发射区的掺杂浓度 B: 采用宽禁带基区材料 C: 减小基区掺杂浓度 D: 减少发射结复合电流
- 晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。
- BJT的结构特点 A: 基区很薄，而且掺杂浓度很低。 B: 发射区掺杂浓度低于集电区。 C: 集电区的面积大于发射区。 D: 集电区的面积小于发射区。 E: 发射区掺杂浓度高于集电区。 F: 基区很薄，而且掺杂浓度很高。
- 关于BJT的结构特点说法错误的是（）。 A: 基区很薄且掺杂浓度很低 B: 发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度 C: 基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度 D: 集电区面积大于发射区面积
- 下列双极型晶体管中，最容易发生基区穿通现象的是（ ）。 A: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较大 B: 基区掺杂浓度比集电区低，基区宽度较小 C: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较大 D: 基区掺杂浓度比发射区低，基区宽度较小