以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应:( )。
A: 减小衬底掺杂浓度
B: 减小沟道长度
C: 增加源漏结深
D: 减小氧化层厚度
A: 减小衬底掺杂浓度
B: 减小沟道长度
C: 增加源漏结深
D: 减小氧化层厚度
D
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举一反三
- 以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅:( )。 A: 减小沟道长度 B: 增加栅氧化层厚度 C: 增加沟道宽度 D: 降低衬底掺杂浓度
- ()会使亚阈值摆幅变小 A: 缩短沟道长度 B: 减小沟道宽度 C: 减小氧化层厚度 D: 提高衬底掺杂浓度
- 为了避免短沟道效应,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,其沟道宽度应(),栅氧化层厚度应(),源、漏区结深应(),衬底掺杂浓度应()。
- 以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流:( )。 A: 增加沟道长度 B: 减小栅氧化层厚度 C: 减小沟道宽度 D: 提高阈值电压
- 减小NMOSFET晶体管的亚阈摆幅措施为 A: 增加氧化层厚度 B: 提高沟道区掺杂浓度 C: 降低沟道长度 D: 增加衬-源反偏电压
内容
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43、为了避免短沟道效应的发生,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,衬底掺杂浓度应减小一倍。。
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短沟道效应会引起的变化是( )。 A: 沟道长度减小,阈值电压增大 B: 沟道长度减小,阈值电压减小 C: 沟道长度减小,阈值电源不变 D: 沟道长度减小,阈值电压变化不一定
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按比例缩小是:( ) A: 如果沟道长度减小到原来的1/2,那么沟道宽度、栅氧化层厚度、源、漏区结深和衬底掺杂浓度都缩小到原来的1/2. B: 如果沟道长度减小到原来的1/2,那么沟道宽度、栅氧化层厚度、源、漏区结深缩小到原来的1/2,衬底掺杂浓度增加到原来的2倍. C: 如果沟道长度减小到原来的1/2,那么沟道宽度、衬底掺杂浓度、源、漏区结深缩小到原来的1/2,栅氧化层厚度增加到原来的2倍. D: 如果沟道长度减小到原来的1/2,沟道宽度、衬底掺杂浓度、源、漏区结深缩小到原来的1/2,沟道宽度增加到原来的2倍.
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以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响 ( )。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道长度 C: 氧化层固定电荷 D: 衬底掺杂浓度
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以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流:( )。 A: 栅氧化层厚度减小 B: 沟道长度增加 C: 沟道宽度增加 D: 阈值电压提高