• 2022-06-19
    以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应:( )。
    A: 减小衬底掺杂浓度
    B: 减小沟道长度
    C: 增加源漏结深
    D: 减小氧化层厚度
  • D
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    内容

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      43、为了避免短沟道效应的发生,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,衬底掺杂浓度应减小一倍。。

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      短沟道效应会引起的变化是( )。 A: 沟道长度减小,阈值电压增大 B: 沟道长度减小,阈值电压减小 C: 沟道长度减小,阈值电源不变 D: 沟道长度减小,阈值电压变化不一定

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      按比例缩小是:( ) A: 如果沟道长度减小到原来的1/2,那么沟道宽度、栅氧化层厚度、源、漏区结深和衬底掺杂浓度都缩小到原来的1/2. B: 如果沟道长度减小到原来的1/2,那么沟道宽度、栅氧化层厚度、源、漏区结深缩小到原来的1/2,衬底掺杂浓度增加到原来的2倍. C: 如果沟道长度减小到原来的1/2,那么沟道宽度、衬底掺杂浓度、源、漏区结深缩小到原来的1/2,栅氧化层厚度增加到原来的2倍. D: 如果沟道长度减小到原来的1/2,沟道宽度、衬底掺杂浓度、源、漏区结深缩小到原来的1/2,沟道宽度增加到原来的2倍.

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      以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响 ( )。 A: 栅氧化层厚度 B: 沟道长度 C: 氧化层固定电荷 D: 衬底掺杂浓度

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      以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流:( )。 A: 栅氧化层厚度减小 B: 沟道长度增加 C: 沟道宽度增加 D: 阈值电压提高