功函数相等时绝缘层中存在电荷对C-V特性的影响。当薄层电荷贴近金属时对C-V特性没有影响。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
A
举一反三
- 功函数相等时绝缘层中存在电荷对C-V特性的影响。当薄层电荷贴近金属时对C-V特性没有影响。 A: 正确 B: 错误
- 功函数相等时绝缘层中存在电荷对C-V特性的影响。当（ ）时对C-V特性影响最大。 A: 当薄层电荷贴近金属 B: 当薄层电荷贴近半导体 C: 当薄层电荷居于金属和半导体中间 D: 当薄层电荷居于氧化层
- 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？ A: 金属和半导体之间存在功函数差 B: 绝缘层中存在电荷 C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态 D: 外加偏压
- 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。
- 有效表面态电荷的存在会使C-V特性曲线相对于理想情况下左移 A: 正确 B: 错误
内容
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中国大学MOOC: 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。
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有效表面态电荷的存在会使C-V特性曲线相对于理想情况下左移
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MIS结构，氧化层的固定电荷的存在使得C-V曲线往右平移。 A: 正确 B: 错误
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MIS结构，氧化层的固定电荷的存在使得C-V曲线往右平移。
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在B-T实验测量MOS工艺中钠离子沾污程度时，发现当钠离子移到靠近（ ）处，对C-V特性影响最大。 A: Al B: SiO2 C: Si D: 以上都不对