关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-10-28 一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中,其栅氧化层厚度越小,阈值电压越() 一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中,其栅氧化层厚度越小,阈值电压越() 答案： 查看 举一反三 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压,衬底掺杂浓度越低,则阈值电压 以P-Si为衬底的理想MOS结构的阈值电压一般()0 理想的NMOS管的栅氧化层厚度越小,则阈值电压( ),衬底掺杂浓度越低,则阈值电压( ) A: 越小 越大 B: 越大 越小 C: 越大 越大 D: 越小 越小 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为NA=1.5×10^15cm^-3。当氧化层厚度为0.1微米时，阈值电压为1.1V，则当氧化层厚度为0.2微米时的阈值电压为V 中国大学MOOC: 一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中
