关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-19 有效表面态电荷的存在会使P-Si衬底的MOS结构的阈值电压相对于理想情况下有所下降 A: 正确 B: 错误 有效表面态电荷的存在会使P-Si衬底的MOS结构的阈值电压相对于理想情况下有所下降A: 正确B: 错误 答案： 查看 举一反三 有效表面态电荷的存在会使P-Si衬底的MOS结构的阈值电压相对于理想情况下有所下降 有效表面态电荷的存在会使C-V特性曲线相对于理想情况下左移 A: 正确 B: 错误 以P-Si为衬底的理想MOS结构的阈值电压一般()0 有效表面态电荷的存在会使C-V特性曲线相对于理想情况下左移 对于以P-Si为衬底的理想MOS结构强反型状态下,表面空间电荷区中的电荷有()
