有效表面态电荷的存在会使P-Si衬底的MOS结构的阈值电压相对于理想情况下有所下降
举一反三
- 有效表面态电荷的存在会使P-Si衬底的MOS结构的阈值电压相对于理想情况下有所下降 A: 正确 B: 错误
- 以P-Si为衬底的理想MOS结构的阈值电压一般()0
- 有效表面态电荷的存在会使C-V特性曲线相对于理想情况下左移
- 对于以P-Si为衬底的理想MOS结构强反型状态下,表面空间电荷区中的电荷有()
- 已知一个MOS结构，若不考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为1V，若考虑金属—半导体之间的功函数差及有效表面态电荷的影响，其阈值电压为-1V，则 A: 该结构衬底为P型硅，是增强型MOS结构 B: 该结构衬底为N型硅，是增强型MOS结构 C: 该结构衬底为P型硅，是耗尽型MOS结构 D: 该结构衬底为N型硅，是耗尽型MOS结构