匀胶机的作用是什么？
A: 使光刻胶均匀覆盖在基片上
B: 甩去多余光刻胶
C: 增加基片上光刻胶厚度
D: 没什么作用
A: 使光刻胶均匀覆盖在基片上
B: 甩去多余光刻胶
C: 增加基片上光刻胶厚度
D: 没什么作用
A,B
举一反三
- 匀胶机的作用是什么？ A: 使光刻胶均匀覆盖在基片上 B: 甩去多余光刻胶 C: 增加基片上光刻胶厚度 D: 没有什么作用
- 解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
- 光刻工艺中“涂胶”的是（ ） A: 在玻璃表面涂光刻胶 B: 在边框处涂封框胶 C: 在灌注口涂封口胶 D: 在引线连接部位涂银点胶
- 在光刻工艺中，前烘的主要目的是（）。 A: 蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使晶圆表面的胶固化 B: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力 C: 防止沾污设备 D: 增强光刻胶的粘附性
- 光刻工艺所需要的三要素为: A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 C: 光源、光刻胶和曝光时间 D: 光源、光刻胶和掩模版
内容
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在曝光后被溶解的光刻胶是()。 A: 正胶 B: 负胶 C: 正胶或负胶
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光刻软烘烤（前烘）的原因有（ ） A: 将硅片上覆盖的光刻胶溶剂去除 B: 增强光刻胶的粘附性以便在显影时光刻胶可以很好的粘附 C: 缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力 D: 防止光刻胶沾到设备上
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光刻工艺所需要的三要素为： A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光源、光刻胶和曝光时间 C: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 D: 光源、掩模版和超净间 E: 光源、光刻胶和掩模版
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光刻工艺所需要的三要素为() A: 光源、光刻胶和掩模版 B: 光刻胶、掩模版和光刻机 C: 光源、掩模版和超净间 D: 光刻胶、掩模版和光刻焦深
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光刻胶根据溶解性的变化，可以分为 A: 正胶 B: 负胶 C: 中性胶 D: 光阻