在金属电子的逸出功实验中，通过对阴极材料物理性质的研究来掌握其（ ）性能。
A: 光电子发射
B: 热电子发射
C: 光电效应
D: 声光效应
A: 光电子发射
B: 热电子发射
C: 光电效应
D: 声光效应
举一反三
- 下列关于光电发射效应的逸出功说法错误的是： A: 一般要发生光电发射效应，入射光子的能量有一个要求，必须大于光电材料的逸出功。 B: 电子从发射中心激发到导带所需要的能量越高，逸出功越大。 C: 材料的亲和势越高，逸出功越大。 D: 发射的光电子的初动能越大，逸出功越大。
- 光电阴极中因电子热能大于逸出功而产生的发射称为（）
- 对于光电发射效应，下列说法不正确的是（） A: 光电发射效应，又称外光电效应 B: 金属光电发射量子效率都很低，且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区 C: 半导体光电发射的量子效率远高于金属：光电发射的过程是体积效应，表面能带弯曲降低了电子逸出功，特别是负电子亲和势材料（NEA） D: 良好的光电发射体，应该具备的基本条件之一是表面势垒高
- 在光照射下,电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应,也称为光电发射效应
- 光电效应分为 A: 光电导效应 B: 光生伏特效应 C: 光电子发射效应 D: 光电吸收效应