从三极管的内部制造工艺来看，主要由以下两个特点（）。
A: 发射区低掺杂
B: 发射区高掺杂
C: 基区很薄，且掺杂浓度较低
D: 基区较厚，且高掺杂
A: 发射区低掺杂
B: 发射区高掺杂
C: 基区很薄，且掺杂浓度较低
D: 基区较厚，且高掺杂
举一反三
- 从三极管内部制造工艺来看，发射区__，基区__。（ ） A: 高掺杂，很薄 B: 很薄，高掺杂 C: 高掺杂，面积大 D: 面积大，高掺杂
- BJT的内部结构特点如下:() A: 发射区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，集电区面积大且掺杂较发射区轻; B: 集电区重掺杂，基区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较集电区轻; C: 基区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，发射区面积大且掺杂较基区轻; D: 发射区重掺杂，集电区很薄且轻掺杂，基区面积大且掺杂较发射区轻。
- 晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。 A: 高；低 B: 高；高 C: 低；低 D: 低；高
- 晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度 ，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度 ，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。 A: 高；低 B: 高；高 C: 低；低 D: 低；高
- 从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施 。 A: 发射区掺杂浓度高，集电结面积大 B: 发射区掺杂浓度高，集电结面积小 C: 发射区掺杂浓度低，集电结面积小 D: 发射区掺杂浓度低，集电结面积大