电路如图,已知:VDD=30V,Rg1=Rg2=1.2MΩ,Rd=10kΩ,VTN=3V,Kn=0.2mA/V2,IRd>>IRg1,不考虑沟道调制效应,求解静态值VDSQ= V。 [img=230x221]18030e049aa2eb4.png[/img]
举一反三
- 电路如图,已知:VDD=10V,Rg1=60kΩ,Rg2=20kΩ,Rd=5kΩ,RL=5kΩ,VTN=1.5V,Kn=0.8mA/V2, 不考虑沟道调制效应,图中各电容足够大,计算此放大电路的输入电阻Ri= kΩ。[img=278x252]18030de49f826e1.png[/img]
- 电路如图所示。设电流源电流I=1mA、VDD=VSS=10V,Rd=9kΩ,CS很大,对信号可视为短路。场效应管的Kn=1mA/V2,l = 0。则场效应管的gm为 _______,电路的小信号电压增益为 _______ 。[img=213x214]1802d7cca4da94e.jpg[/img] A: 2 mA/V,-18 B: 2 mA/V,-9 C: 1 mA/V,-18 D: 1 mA/V,-9 E: 3 mA/V,-9
- 电路如图所示。设电流源电流I=1mA、VDD=VSS=10V,Rd=7.9kΩ,CS很大,对信号可视为短路。T的Kn=1mA/V2,l = 0且MOS管有合适的静态工作点。则T的gm为( ),电路的小信号电压增益为 ( )。[img=436x425]1802df77befd5be.png[/img] A: 2 mA/V,-15.8 B: 2 mA/V,-7.9 C: 1 mA/V,-15.8 D: 1 mA/V,-9 E: 3 mA/V,-7.9
- 如图所示电路,已知ε1=5 V,ε2=3 V,R内1=R内2=1 Ω,R1=R2=R3=2 Ω,则Uab=[img=218x121]17e0aaba219d507.jpg[/img] A: 5 V B: 2 V C: -1 V D: 1 V E: -2 V
- 图示电路参数为I=0.5mA,VDD=VSS=5V,Rg=100 kΩ,Rd=10kΩ, Rsi=1kΩ。场效应管参数为VTN=1V,Kn=0.5[img=46x18]1803c6352e038fd.jpg[/img] A: 2 kW,5,10kW B: 0.5kW,-5,10kW C: 1 kW,-5,10kW D: 1 kW,5,10kW