举一反三
- 电路如图，已知：VDD=10V，Rg1=60kΩ，Rg2=20kΩ，Rd=5kΩ，RL=5kΩ，VTN=1.5V，Kn=0.8mA/V2, 不考虑沟道调制效应，图中各电容足够大，计算此放大电路的输入电阻Ri= kΩ。[img=278x252]18030de49f826e1.png[/img]
- 电路如图所示。设电流源电流I＝1mA、VDD＝VSS＝10V，Rd＝9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。场效应管的Kn＝1mA/V2，l = 0。则场效应管的gm为 _______，电路的小信号电压增益为 _______ 。[img=213x214]1802d7cca4da94e.jpg[/img] A: 2 mA/V，-18 B: 2 mA/V，-9 C: 1 mA/V，-18 D: 1 mA/V，-9 E: 3 mA/V，-9
- 电路如图所示。设电流源电流I＝1mA、VDD＝VSS＝10V，Rd＝7.9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。T的Kn＝1mA/V2，l = 0且MOS管有合适的静态工作点。则T的gm为（ ），电路的小信号电压增益为 （ ）。[img=436x425]1802df77befd5be.png[/img] A: 2 mA/V，-15.8 B: 2 mA/V，-7.9 C: 1 mA/V，-15.8 D: 1 mA/V，-9 E: 3 mA/V，-7.9
- 如图所示电路，已知ε1=5 V，ε2=3 V，R内1=R内2=1 Ω，R1=R2=R3=2 Ω，则Uab=[img=218x121]17e0aaba219d507.jpg[/img] A: 5 V B: 2 V C: -1 V D: 1 V E: -2 V
- 图示电路参数为I＝0.5mA，VDD＝VSS＝5V，Rg＝100 kΩ，Rd=10kΩ， Rsi＝1kΩ。场效应管参数为VTN＝1V，Kn＝0.5[img=46x18]1803c6352e038fd.jpg[/img] A: 2 kW，5，10kW B: 0.5kW，-5，10kW C: 1 kW，-5，10kW D: 1 kW，5，10kW
内容
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电路如图所示。设电流源电流I＝0.5mA、VDD＝VSS＝5V，Rd＝9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。场效应管的VT＝0.8V，Kn＝1[img=46x18]1803c634fd88430.jpg[/img] A: 1.42 mA/V，12.78 B: 3.02 mA/V，-27.2 C: 1.42 mA/V，-12.78 D: 3.02 mA/V，-12.78
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已知图1电路中的US1= 4 V，IS1= 2 A。用图 2 所示的理想电压源代替图 1所示的电路，该等效电压源的参数US为（ ）。[img=311x127]17e439318bf4c5b.png[/img] A: －4 V B: 4 V C: -2 V D: 2 V
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已知图1电路中的US1 = 4 V， IS1 = 2 A。用图 2 所示的理想电压源代替图 1所示的电路，该等效电压源的参数US为（ ）。[img=311x127]18039595ad93083.jpg[/img] A: －4 V B: 4 V C: -2 V D: 2 V
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已知电路如图所示，其中E1=15V，E2=65V，R1=5Ω，R2=R3=10Ω。试用支路电流法求R1、R2和R3三个电阻上的电压（电阻取关联的参考方向）。[img=270x169]17de87bccc87fe0.jpg[/img] A: -35/4，165/4（V），95/4（V） B: 1（V），2（V），3（V） C: 1（V），1（V），1（V） D: -25/4，15/4（V），48/4（V）
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【单选题】底面半径为 R高为R的圆锥体积为V 1 ,半径为 R的半球体积是V 2 ,底面半径为 R高为R的圆柱体积为V 3 ,则有() A. V 1 :V 2 :V 3 =1:4:9 B. V 1 :V 2 :V 3 =1:2:3 C. V 1 :V 2 :V 3 =1:3:5 D. A.V 2 2 =V 1 V 3