电路如图，已知：VDD=30V，Rg1=Rg2=1.2MΩ，Rd=10kΩ，VTN=3V，Kn=0.2mA/V2，IRd>>IRg1，不考虑沟道调制效应，求解静态值VDSQ= V。 [img=230x221]18030e049aa2eb4.png[/img]
电路如图，已知：VDD=30V，Rg1=Rg2=1.2MΩ，Rd=10kΩ，VTN=3V，Kn=0.2mA/V2，IRd>>IRg1，不考虑沟道调制效应，求解静态值VDSQ= V。 [img=230x221]18030e049aa2eb4.png[/img]
电路如图所示。设电流源电流I＝1mA、VDD＝VSS＝10V，场效应管的VTN＝0.8V，Kn＝1mA/V2，l=0。若想使VDSQ=6V，那么Rd≈（）。【图片】 A: 5.8kΩ B: 11.8kΩ C: 8kΩ D: 4kΩ E: 10kΩ
电路如图所示。设电流源电流I＝1mA、VDD＝VSS＝10V，场效应管的VTN＝0.8V，Kn＝1mA/V2，l=0。若想使VDSQ=6V，那么Rd≈（）。【图片】 A: 5.8kΩ B: 11.8kΩ C: 8kΩ D: 4kΩ E: 10kΩ
电路如图所示。设电流源电流I＝1mA、VDD＝VSS＝10V，场效应管的VTN＝0.8V，Kn＝1mA/V2，l = 0。若想使VDSQ =6V，那么Rd≈（ ）。[img=485x439]1802ebb12ee6f9a.png[/img] A: 5.8kΩ B: 11.8kΩ C: 8kΩ D: 4kΩ E: 10kΩ
电路如图所示。设电流源电流I＝1mA、VDD＝VSS＝10V，场效应管的VTN＝0.8V，Kn＝1mA/V2，l = 0。若想使VDSQ =6V，那么Rd≈（ ）。[img=485x439]1802ebb12ee6f9a.png[/img] A: 5.8kΩ B: 11.8kΩ C: 8kΩ D: 4kΩ E: 10kΩ
电路如图所示，设MOS管的参数为VTN = 1V，[img=113x25]1802d7cc805bee1.jpg[/img]和l=0，其他参数如图示。若要求MOS管的静态值IDQ = 0.5mA，VDSQ = 6V，那么电路中的电阻Rd =_________，Rg2 =_________。[img=200x207]1802d7cc8a2b858.jpg[/img] A: 8 kW，40 kW B: 10 kW，60 kW C: 10 kW，40 kW D: 8 kW，60 kW E: 8 kW，50 kW
电路如图所示，设MOS管的参数为VTN = 1V，[img=113x25]1802d7cc805bee1.jpg[/img]和l=0，其他参数如图示。若要求MOS管的静态值IDQ = 0.5mA，VDSQ = 6V，那么电路中的电阻Rd =_________，Rg2 =_________。[img=200x207]1802d7cc8a2b858.jpg[/img] A: 8 kW，40 kW B: 10 kW，60 kW C: 10 kW，40 kW D: 8 kW，60 kW E: 8 kW，50 kW
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