离子注入是一种灵活的工艺，必须满足严格的芯片设计和生产要求，其两个重要参数是（ ）和（ ）。
A: 注入时间
B: 工作温度
C: 注入能量
D: 注入剂量
A: 注入时间
B: 工作温度
C: 注入能量
D: 注入剂量
举一反三
- 离子注入是一种灵活的工艺，必须满足严格的芯片设计和生产要求，其两个重要参数是（）和（）。
- 中国大学MOOC: 离子注入是一种灵活的工艺，必须满足严格的芯片设计和生产要求，其两个重要参数是（ ）和（ ）。
- 以下是离子注入过程中的主要工艺参数的是( )。 A: 注入均匀性 B: 离子注入剂量 C: 离子射程 D: 束流密度
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确： A: 注入离子越轻，临界剂量越小； B: 靶温升高，临界剂量上升； C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；