IGBT短路振荡可能与IGBT模块的特性有关。(
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举一反三
- IGBT短路振荡可能与IGBT模块的结温有关。(<br/>)
- IGBT模块包括多个IGBT和续流二极管芯片，通常是 或 的结构。
- 对IGBT下列说法正确的是（） A: IGBT是MOSFET和GTR复合的产物 B: IGBT是MOSFET和GTO复合的产物 C: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。 D: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性
- IGBT的静态特性包括 特性和 特性。
- IGBT的特点说法不正确的是（ ） A: IGBT的研制成功为斩波器，逆变器，变频器的高效化 提供了有利条件 B: IGBT目前没有抗短路能力 C: IGBT是电压型驱动器件 D: IGBT的设计中需要提供过电压保护