• 2022-06-19
    关于于IGBT的描述,正确的是
    A: 驱动功率小,驱动电路简单。
    B: 于MOSFET相比,耐压高、通流能力强。
    C: 开关特性好,比SCR、GTO快
    D: 属于三端器件,包括栅极G、源极S和集电极C。
    E: 开关速度低于电力MOSFET
    F: 无电导调制效应。
  • 举一反三