由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，漏源电压VDS应： 。
A: 大于0
B: 小于0
C: 大于或小于0均可
D: 无法确定
A: 大于0
B: 小于0
C: 大于或小于0均可
D: 无法确定
A
举一反三
- 中国大学MOOC: 由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，漏源电压VDS应： 。
- N沟道增强型场效应管的栅源电压( )。 A: 大于0 B: 小于0 C: 等于0 D: 可正可负可零
- N沟道耗尽型场效应管中，漏源电压VDS越大，漏源电流IDS： 。 A: 越大 B: 越小 C: 不变 D: 无法确定
- 负反馈放大电路中的回路增益AF应是______。 A: 大于0 B: 小于0 C: 大于0或小于0
- 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。 A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0 B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0 C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和 D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大
内容
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N沟道结型场效应管漏源电流最大时，栅源两端加入的电压应该是（ ）。 A: 0V B: 大于0V C: 小于0V D: 大于夹断电压
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中国大学MOOC: N沟道耗尽型场效应管中，漏源电压VDS越大，漏源电流IDS： 。
- 2
电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
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N沟道增强型MOS管的开启电压（） A: 大于零 B: 小于零 C: 等于零 D: 无法判断
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N沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置( )