中国大学MOOC: 衬源短接的增强型NMOSFET,VDS>0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在_______
举一反三
- 衬源短接的增强型NMOSFET，VDS>;0正常开启时，衬底表面电势最低点出现在？ A: 源区 B: 沟道区靠近源区一侧 C: 沟道区靠近漏区一侧 D: 漏区
- 衬源短接的增强型NMOSFET,VDS>0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在_______ A: 源区 B: 沟道区靠近源区一侧 C: 沟道区靠近漏区一侧 D: 漏区
- 下面关于MOSFET开启电压，说法正确的是_________。 A: 增强型NMOSFET开启电压为负 B: 耗尽型NMOSFET开启电压为正 C: 增强型PMOSFET开启电压为负 D: 耗尽型PMOSFET开启电压为正
- 下面关于MOSFET开启电压，说法正确的是_________。 A: 增强型NMOSFET开启电压为负 B: 耗尽型NMOSFET开启电压为正 C: 增强型PMOSFET开启电压为负 D: 耗尽型PMOSFET开启电压为正
- 中国大学MOOC: 由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，漏源电压VDS应： 。