中国大学MOOC: 衬源短接的增强型NMOSFET,VDS>0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在_______
沟道区靠近源区一侧
举一反三
- 衬源短接的增强型NMOSFET，VDS>;0正常开启时，衬底表面电势最低点出现在？ A: 源区 B: 沟道区靠近源区一侧 C: 沟道区靠近漏区一侧 D: 漏区
- 衬源短接的增强型NMOSFET,VDS>0正常开启时,衬底表面电势最低点出现在_______ A: 源区 B: 沟道区靠近源区一侧 C: 沟道区靠近漏区一侧 D: 漏区
- 下面关于MOSFET开启电压，说法正确的是_________。 A: 增强型NMOSFET开启电压为负 B: 耗尽型NMOSFET开启电压为正 C: 增强型PMOSFET开启电压为负 D: 耗尽型PMOSFET开启电压为正
- 下面关于MOSFET开启电压，说法正确的是_________。 A: 增强型NMOSFET开启电压为负 B: 耗尽型NMOSFET开启电压为正 C: 增强型PMOSFET开启电压为负 D: 耗尽型PMOSFET开启电压为正
- 中国大学MOOC: 由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，漏源电压VDS应： 。
内容
- 0
中国大学MOOC:"P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是________。";
- 1
中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
- 2
中国大学MOOC: 开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。
- 3
中国大学MOOC: 增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压称为开启电压。
- 4
中国大学MOOC: N沟道耗尽型场效应管中，漏源电压VDS越大，漏源电流IDS： 。