二极管导通时正向压降硅管约为（ ），锗管约为（ ）。
A: 0V；0V
B: 0.2V；0.3V
C: 0.7V；0.3V
A: 0V；0V
B: 0.2V；0.3V
C: 0.7V；0.3V
举一反三
- 硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
- 下列二极管正向压降正确的是（ ） A: 硅管为0.7 V B: 锗管为0.7 V C: 锗管为0.3 V D: 硅管为0.3 V
- 二极管的主要特性是具有____。硅二极管死区电压约为____V,锗二极管死区电压约为____V。硅二极管导通时的管压降约为____V,锗二极管导通时的管压降约为____V
- 导通以后，二极管两端的正向电压可近似地认为是导通时的管压降，硅管约为( )V，锗管约为（ ）伏。 A: 0.7、0.3 B: 0.3、0.7 C: 0.5、0.5 D: 0.5、0.2
- 硅管的导通压降约为 V，锗管的导通压降约为 V。