络合掩蔽剂和沉淀掩蔽剂各应具备什么条件？
举一反三
- 常用的掩蔽干扰离子的办法有哪些？配位掩蔽剂应具备什么条件？
- 下列关于络合掩蔽剂的叙述中;错误的是 未知类型：{'options': ['络合掩蔽剂与干扰离子的络合物稳定性,远比[tex=2.929x1.0]NlefGGJF2e6P2jYOHTb2XA==[/tex]的络合物稳定', '络合掩蔽剂应在一定的[tex=1.357x1.214]1kiKxzWeZt26Aao1ElyoVQ==[/tex]范围内使用', '络合掩蔽剂不与待测离子发生络合反应,或生成的络合物稳定性较小', '络合掩蔽剂与待测离子生成的络合物的稳定性应足够高'], 'type': 102}
- 关于络合掩蔽及其影响因素，正确的有（ ） A: 加入掩蔽剂使其与干扰离子形成稳定的络合物而消除干扰的方法为络合掩蔽 B: 加入试剂的顺序对络合掩蔽无影响。 C: 溶液的酸度、金属离子的水解会影响络合掩蔽。 D: 掩蔽剂的用量、温度也影响络合掩蔽。
- 在络合滴定中，掩蔽剂的用量越多越好。 ()
- 络合滴定中，常用的掩蔽方法有（）。 A: pH掩蔽法； B: 络合掩蔽法； C: 沉淀掩蔽法； D: 氧化—还原掩蔽法。