对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（ ）
A: [img=36x25]18038d2ba4b8905.png[/img]
B: [img=34x25]18038d2bacb12d6.png[/img]
C: [img=44x25]18038d2bb69bca3.png[/img]
D: [img=34x25]18038d2bbf1d094.png[/img]
A: [img=36x25]18038d2ba4b8905.png[/img]
B: [img=34x25]18038d2bacb12d6.png[/img]
C: [img=44x25]18038d2bb69bca3.png[/img]
D: [img=34x25]18038d2bbf1d094.png[/img]
举一反三
- 对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（ ） A: [img=36x25]1803b2f7a140c6c.png[/img] B: [img=34x25]1803b2f7a90f03e.png[/img] C: [img=44x25]1803b2f7b1e636d.png[/img] D: [img=34x25]1803b2f7baf71d5.png[/img]
- 对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（ ） A: [img=36x25]18037128488cdd9.png[/img] B: [img=34x25]1803712850fac8d.png[/img] C: [img=44x25]1803712859def22.png[/img] D: [img=34x25]18037128627c580.png[/img]
- 求不定积分[img=121x54]17da653839aa6ae.png[/img]； （ ） A: log(x^2 + 3*x + 25/4)/4 + (5*atan(x/2 + 3/4))/4 B: log(x^2 + 3*x + 25/4)/4 C: (5*atan(x/2 + 3/4))/4 D: log(x^2 + 3*x + 25/4)/4 - (5*atan(x/2 + 3/4))/4
- 1.设随机变量X的密度为[img=186x61]18034ea953ec9dd.png[/img]则常数A=________，概率[img=146x25]18034ea95d30d08.png[/img]__________. A: A=2，P(X>1|X<2)=[img=39x24]18034ea9659b618.png[/img] B: A=-2，P(X>1|X<2)=[img=39x24]18034ea9659b618.png[/img] C: A=2，P(X>1|X<2)=[img=47x44]18034ea9768a8c2.png[/img] D: A=-2，P(X>1|X<2)=[img=47x44]18034ea9768a8c2.png[/img]
- 设[img=335x39]180307330358786.png[/img]，画出函数[img=34x25]180307330bcd082.png[/img]和[img=33x25]1803073313a8ced.png[/img]的图形并填实两条曲线之间的区域. A: Plot[{Cos[x]+x/2,Sin[x]+x/3},{x,0,4},Filling→{2→{1}}] B: Plot[{Cos[x]+x/2,Sin[x]+x/3},{x,0,4},Filling→{1→{2}}] C: Plot[{Cos[x]+x/2,Sin[x]+x/3},{x,0,4},Filling→{2→1}] D: Plot[{Cos[x]+x/2,Sin[x]+x/3},{x,0,4},Filling→{1→2}]