对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（ ）
A: [img=36x25]1803b2f7a140c6c.png[/img]
B: [img=34x25]1803b2f7a90f03e.png[/img]
C: [img=44x25]1803b2f7b1e636d.png[/img]
D: [img=34x25]1803b2f7baf71d5.png[/img]
A: [img=36x25]1803b2f7a140c6c.png[/img]
B: [img=34x25]1803b2f7a90f03e.png[/img]
C: [img=44x25]1803b2f7b1e636d.png[/img]
D: [img=34x25]1803b2f7baf71d5.png[/img]
举一反三
- 对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（ ） A: [img=36x25]18038d2ba4b8905.png[/img] B: [img=34x25]18038d2bacb12d6.png[/img] C: [img=44x25]18038d2bb69bca3.png[/img] D: [img=34x25]18038d2bbf1d094.png[/img]
- 对应于一掺杂浓度一定的GaAs半导体，大注入时，过剩少子的寿命正比于（ ） A: [img=36x25]18037128488cdd9.png[/img] B: [img=34x25]1803712850fac8d.png[/img] C: [img=44x25]1803712859def22.png[/img] D: [img=34x25]18037128627c580.png[/img]
- 7、二次函数[img=120x26]18031ef2ad3cc4e.png[/img]的对称轴x=2,则f(3)＜f(2).
- 设随机变量X服从均值为2的指数分布，X的分布函数为F(x)，数学期望为E(X)，方差为D(X)，则以下结果正确的是 A: [img=128x28]1802d3b369ab5fe.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]1802d3b372fb534.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]1802d3b37bbbf05.png[/img]
- 设随机变量X服从均值为2的指数分布，X的分布函数为F(x)，数学期望为E(X)，方差为D(X)，则以下结果正确的是 A: [img=128x28]18034b986fbc78a.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]18034b98781508a.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]18034b9880d080a.png[/img]