关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-07 耗尽型PMOS管制作时，在栅极SiO2绝缘层中注入了大量的正离子，在没有外加栅源电压下，就存在导电沟道。 A: 正确 B: 错误 耗尽型PMOS管制作时，在栅极SiO2绝缘层中注入了大量的正离子，在没有外加栅源电压下，就存在导电沟道。A: 正确B: 错误 答案： 查看 举一反三 耗尽型PMOS管制作时，在栅极SiO2绝缘层中注入了大量的正离子，在没有外加栅源电压下，就存在导电沟道。 耗尽型PMOS管制作时，在栅极SiO2绝缘层中注入了大量的正离子，在没有外加栅源电压下，就存在导电沟道。 A: 正确 B: 错误 中国大学MOOC: 耗尽型PMOS管制作时，在栅极SiO2绝缘层中注入了大量的正离子，在没有外加栅源电压下，就存在导电沟道。 N沟道耗尽型MOS管,是在栅极和衬底之间的绝缘层中掺入大量的正离子,即使栅-源电压为零,衬底表层也存在导电沟道 对于耗尽型PMOS晶体管，即使栅源电压VGS等于零，导电沟道也是存在的。 A: 正确 B: 错误
