对MIS电容有明显影响的是 A: 界面陷阱电荷 Qit B: 氧化层中固定电荷 Qf C: 氧化层中可动电荷 Qm D: 氧化层中陷阱电荷 Qot
对MIS电容有明显影响的是 A: 界面陷阱电荷 Qit B: 氧化层中固定电荷 Qf C: 氧化层中可动电荷 Qm D: 氧化层中陷阱电荷 Qot
二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的Na+属于( ).zz A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层中固定电荷 C: 氧化层中可动电荷 D: 氧化层中陷阱电荷
二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的Na+属于( ).zz A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层中固定电荷 C: 氧化层中可动电荷 D: 氧化层中陷阱电荷
以下各项中存在于Si-SiO2界面处的是（ ）。 A: 固定正电荷 B: Si-SiO2界面态 C: 可动电荷 D: 电离陷阱
以下各项中存在于Si-SiO2界面处的是（ ）。 A: 固定正电荷 B: Si-SiO2界面态 C: 可动电荷 D: 电离陷阱
以下各项中存在于Si-SiO2界面处的是（ ）。 A: 固定正电荷 B: Si-SiO2界面态 C: 可动电荷 D: 电离陷阱
以下各项中存在于Si-SiO2界面处的是（ ）。 A: 固定正电荷 B: Si-SiO2界面态 C: 可动电荷 D: 电离陷阱
<img src="http://nos.netease.com/edu-image/a54f25c0-fc45-4a4e-9032-3ec94f33f117.png" />系统的绝缘层中的主要带电形式有？? 固定电荷|可动离子<br >|界面态|电离陷阱电荷<br >
<img src="http://nos.netease.com/edu-image/a54f25c0-fc45-4a4e-9032-3ec94f33f117.png" />系统的绝缘层中的主要带电形式有？? 固定电荷|可动离子<br >|界面态|电离陷阱电荷<br >
最容易导致MIS无法反型的是( )缺陷.jj A: 半导体界面陷阱态 B: 栅介质层中的固定电荷 C: 栅介质层中的可动电荷 D: 栅介质层的陷阱态
最容易导致MIS无法反型的是( )缺陷.jj A: 半导体界面陷阱态 B: 栅介质层中的固定电荷 C: 栅介质层中的可动电荷 D: 栅介质层的陷阱态
Si/SiO2系统中常见的四种电荷态，那种最影响亚阈值摆幅？ A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层固定电荷 C: 氧化层可动电荷 D: 氧化层辐照缺陷
Si/SiO2系统中常见的四种电荷态，那种最影响亚阈值摆幅？ A: 界面陷阱电荷 B: 氧化层固定电荷 C: 氧化层可动电荷 D: 氧化层辐照缺陷
Si/SiO2系统的4种电荷，能与半导体交换载流子的是 A: SiO2中的可动离子 B: SiO2中的固定电荷 C: SiO2中的陷阱电荷 D: Si/SiO2界面的快界面态
Si/SiO2系统的4种电荷，能与半导体交换载流子的是 A: SiO2中的可动离子 B: SiO2中的固定电荷 C: SiO2中的陷阱电荷 D: Si/SiO2界面的快界面态
MOS器件会受到氧化层中的电荷和SiO2-Si界面俘获陷阱的影响,所以MOS器件一般制作在111晶向上。
MOS器件会受到氧化层中的电荷和SiO2-Si界面俘获陷阱的影响,所以MOS器件一般制作在111晶向上。
在SiO2内和Si-SiO2界面存在有（）、（）、（）、（）等电荷。
在SiO2内和Si-SiO2界面存在有（）、（）、（）、（）等电荷。