43、为了避免短沟道效应的发生,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,衬底掺杂浓度应减小一倍。。
举一反三
- 为了避免短沟道效应,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,其沟道宽度应(),栅氧化层厚度应(),源、漏区结深应(),衬底掺杂浓度应()。
- 42、为了避免短沟道效应的发生,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,源、漏区结深应缩小一半。。
- 41、为了避免短沟道效应的发生,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,栅氧化层厚度应减薄一半。
- 以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应:( )。 A: 减小衬底掺杂浓度 B: 减小沟道长度 C: 增加源漏结深 D: 减小氧化层厚度
- 以下会使DIBL效应最明显的条件是( )。 A: 沟道长度越长,衬底掺杂浓度越大 B: 沟道长度越长,衬底掺杂浓度越小 C: 沟道长度越短,衬底掺杂浓度越大 D: 沟道长度越短,衬底掺杂浓度越小