为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。
举一反三
- 42、为了避免短沟道效应的发生，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，源、漏区结深应缩小一半。。
- 41、为了避免短沟道效应的发生，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，栅氧化层厚度应减薄一半。
- 43、为了避免短沟道效应的发生，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，衬底掺杂浓度应减小一倍。。
- 按比例缩小是：（ ） A: 如果沟道长度减小到原来的1/2，那么沟道宽度、栅氧化层厚度、源、漏区结深和衬底掺杂浓度都缩小到原来的1/2. B: 如果沟道长度减小到原来的1/2，那么沟道宽度、栅氧化层厚度、源、漏区结深缩小到原来的1/2,衬底掺杂浓度增加到原来的2倍. C: 如果沟道长度减小到原来的1/2，那么沟道宽度、衬底掺杂浓度、源、漏区结深缩小到原来的1/2,栅氧化层厚度增加到原来的2倍. D: 如果沟道长度减小到原来的1/2，沟道宽度、衬底掺杂浓度、源、漏区结深缩小到原来的1/2,沟道宽度增加到原来的2倍.
- 以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应：（ ）。 A: 减小衬底掺杂浓度 B: 减小沟道长度 C: 增加源漏结深 D: 减小氧化层厚度