下面两个图形为UGS一定的情况下，UDS对结型场效应管导电沟道的影响情况。下面描述正确的是（ ）。[img=639x617]1803bc94ba32bad.png[/img]和[img=654x585]1803bc94c4a0b42.png[/img]
A: 左图表明，UDS为零时，结型场效应管d、s两端的耗尽层以及导电沟道，上下对称.
B: 右图表明，UDS不为零时，UDS沿着结型场效应管内部的导电沟道电阻，自上而下分压，即导电沟道中，越靠近d端的点的电压越高，越靠近s端的点的电压越低，也即UGD的绝对值要大于UGS的绝对值。
C: 右图表明，UDS不为零时，越靠近d端的耗尽层越窄，越靠近s端的耗尽层越宽。
D: 右图表明，UDS不为零时，越靠近d端的导电沟道越窄，越靠近s端的导电沟道越宽，整个导电沟道形成楔形。
A: 左图表明，UDS为零时，结型场效应管d、s两端的耗尽层以及导电沟道，上下对称.
B: 右图表明，UDS不为零时，UDS沿着结型场效应管内部的导电沟道电阻，自上而下分压，即导电沟道中，越靠近d端的点的电压越高，越靠近s端的点的电压越低，也即UGD的绝对值要大于UGS的绝对值。
C: 右图表明，UDS不为零时，越靠近d端的耗尽层越窄，越靠近s端的耗尽层越宽。
D: 右图表明，UDS不为零时，越靠近d端的导电沟道越窄，越靠近s端的导电沟道越宽，整个导电沟道形成楔形。
举一反三
- 下面三个图形，描述了结型场效应管UDS=0V时，UGS对导电沟道的控制作用，下列文字描述正确的是（ ）。[img=300x387]1803296ccae347c.png[/img][img=473x429]1803296cd8a01dd.png[/img][img=492x386]1803296ce7bca1f.png[/img] A: 左图表明，UGS等于0时，结型场效应管的耗尽层最窄，导电沟道最宽，沟道电阻最小。 B: 中图表明，随着UGS绝对值的增加，结型场效应管的耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻变大。 C: 右图表明，UGS的绝对值增加到某一值时，结型场效应管的耗尽层最宽，导电沟道变为零，沟道电阻变为最大。 D: 右图的状况，称为结型效应管的全夹断，UGS对应的某一值，称为夹断电压，表明，结型场效应管具有可控的开路特性。
- 智慧职教:结型场效应管加电压uDS后，靠近漏极端的导电沟道（）。
- 下面二图描述了N沟道增强型绝缘栅型场效应管，漏源电压UDS = 0时，栅源电压UGS对导电沟道的控制作用。下列文字描述正确的是（ ）。[img=591x417]1803296eaa541b2.png[/img]和[img=647x443]1803296ebdfa0b2.png[/img] A: 左图为UDS=0，UGS比较小时，由于栅极和衬底间的电场效应，将栅极下方靠近绝缘层的P衬底中的空穴向下排斥，剩下一些不能移动的负离子，从而形成耗尽层，漏源之间形成不了导电沟道。 B: 右图为当UGS增大到某值时，在P型衬底中形成一个N型半导体区导电沟道，称为N型反型层。 C: 刚刚产生N型反型层导电沟道所需的栅源电压UGS，称为开启电压 UGS（TH）。 D: UGS大于开启电压后，UGS越大，导电沟道越宽，沟道电阻就越小，反之亦然。如果此时加有漏源电压UDS，就可以形成漏极电流ID。
- 下面二图描述了N沟道增强型绝缘栅型场效应管,漏源电压UDS=0时,栅源电压UGS对导电沟道的控制作用。下列文字描述正确的是()。和 A: 左图为UDS=0，UGS比较小时，由于栅极和衬底间的电场效应，将栅极下方靠近绝缘层的P衬底中的空穴向下排斥，剩下一些不能移动的负离子，从而形成耗尽层，漏源之间形成不了导电沟道。 B: 右图为当UGS增大到某值时，在P型衬底中形成一个N型半导体区导电沟道，称为N型反型层。 C: 刚刚产生N型反型层导电沟道所需的栅源电压UGS，称为开启电压 UGS（TH）。 D: UGS大于开启电压后，UGS越大，导电沟道越宽，沟道电阻就越小，反之亦然。如果此时加有漏源电压UDS，就可以形成漏极电流ID。
- N 沟道结型场效应管在栅极和源极之间的负电压 VGS 越高,( )。 A: PN 结越宽 B: 沟道越窄 C: 沟道电阻变大 D: 电流 ID 就越小 E: 沟道越宽