光电导效应是光照射半导体材料时，（ ）
A: 材料吸收光子而产生电子-空穴对，使导电性能加强，电导率增加。
B: 导带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由导带越过禁带跃入价带，从而使电导率变大。
C: 价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由价带越过禁带跃入导带，从而使电导率变大，电阻率减少。
D: 无
A: 材料吸收光子而产生电子-空穴对，使导电性能加强，电导率增加。
B: 导带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由导带越过禁带跃入价带，从而使电导率变大。
C: 价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击，并使其由价带越过禁带跃入导带，从而使电导率变大，电阻率减少。
D: 无
举一反三
- 半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。 A: 价带，导带 B: 价带，禁带 C: 禁带，导带 D: 导带，价带
- 关于本征吸收，以下说法正确的是？ A: 是电子从价带到导带的跃迁，产生电子-空穴对 B: 产生本征吸收的条件是入射光子能量大于等于材料的禁带宽度 C: 是电子从导带到价带的跃迁，并伴随发射光子能量 D: 产生本征吸收的条件是入射光子能量小于等于材料的禁带宽度
- 入射光强改变物质导电率的物理现象,叫光电导效应。为使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应大于禁带宽度Eg,即光的波长应小于某一临界波长λ0
- 关于“光注入”，以下说法错误的是： A: 只要用光照射半导体材料，就可以产生非平衡载流子 B: 入射光子能量必须大于等于半导体的禁带宽度 C: 非平衡电子和空穴成对产生 D: 受到入射能量的激发，价带电子跃迁到导带，产生非平衡载流子
- 入射光子的能量大于半导体材料的禁带宽度Eg时，才会产生电子-空穴对。