在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
A: DQN
B: CA
C: ARC
D: PMMA
A: DQN
B: CA
C: ARC
D: PMMA
举一反三
- 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。 A: CA光刻胶对深紫外光吸收小 B: CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化 C: CA光刻胶在显影液中的可溶性强 D: 有较高的光敏度 E: 有较高的对比度
- 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。 A: ACA光刻胶对深紫外光吸收小 B: BCA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化 C: CCA光刻胶在显影液中的可溶性强 D: D有较高的光敏度 E: E有较高的对比度
- 光刻工艺所需要的三要素为: A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 C: 光源、光刻胶和曝光时间 D: 光源、光刻胶和掩模版
- 显影就是溶解掉正胶工艺的光刻胶，或负胶工艺的光刻胶。该工艺中需要严格控制和。 A: 被曝光 B: 未曝光 C: 显影液温度 D: 显影时间
- 光刻工艺所需要的三要素为： A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光源、光刻胶和曝光时间 C: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 D: 光源、掩模版和超净间 E: 光源、光刻胶和掩模版