存在擎住效应的器件是（ ）。 A: PMOSFET B: SCR C: IGBT

下面关于MOSFET开启电压，说法正确的是_________。 A: 增强型NMOSFET开启电压为负 B: 耗尽型NMOSFET开启电压为正 C: 增强型PMOSFET开启电压为负 D: 耗尽型PMOSFET开启电压为正

‌下面关于MOSFET开启电压，说法正确的是_________。​ A: 增强型NMOSFET开启电压为负 B: 耗尽型NMOSFET开启电压为正 C: 增强型PMOSFET开启电压为负 D: 耗尽型PMOSFET开启电压为正

下列半导体器件中属于电流型控制器件的是。() A: GTR B: PMOSFET C: IGBT D: BJT

离子注入调节阈值电压时，注入B离子对NMOSFET和PMOSFET的阈值电压偏移方向的影响是一样的。

由于电力电子器件起开关作用，故电压型逆变电路中与主电路开关器件并联的（ ）的作用就是当开关截止时给交流侧向直流侧反馈无功能量提供通路的。 A: GTR B: 二极管 C: IGBT D: PMOSFET