P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。

2022-06-19 问题

2022-06-19 问题

N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。

2022-07-26 问题

2022-07-26 问题

2022-07-26 问题

2022-11-01 问题

N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: vGS 大于VTN ,并且vDS <vGS-VTN B: vGS 大于VTN ,并且vDS >vGS-VTN C: vGS 小于VTN ,并且vDS >vGS-VTN D: vGS 小于VTN ,并且vDS <vGS-VTN

2022-10-30 问题

对于Al栅管，___大，击穿电压大；对于Si栅自对准管，___大，击穿电压大（）。 A: VGS，VDS B: VDS，VGS C: VGS，IDS D: IGS，VDS

2022-06-19 问题

2022-07-26 问题

N沟道结型场效应管工作在线性放大区时，（） A: VGS为正电压，VDS为正电压 B: VGS为正电压，VDS为负电压 C: VGS为负电压，VDS为正电压 D: VGS为负电压，VDS为负电压

2022-06-30 问题

P沟道耗尽型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS可正、可负、可为零,vDS为负; B: vGS可正、可负、可为零,vDS为正; C: vGS为正,vDS可正、可负、可为零; D: vGS为负,vDS可正、可负、可为零。

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