Daniel Defoe is an early proponent of th...ea and on an island.

N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是？ A: VGS>VGS(th)，VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th)，VDSVGS-VGS(th) C: VGSVGS(th)，VDS>VGS-VGS(th) D: VGS<VGS(th)，VDSVGS-VGS(th)

N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是()(2) A: uGS&gt;uGS(th),uGD&gt; uGS(th) ; B: uGSGS(th),uGDGS(th) ; C: uGS&gt;uGS(th),uGDGS(th) ; D: uGSGS(th),uGD&gt;uGS(th) 。

N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是： A: UGS&gt; UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) B: UGS&gt; UGS(th), UDS&lt; UGS - UGS(th) C: UGS&lt;UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) D: UGS&lt; UGS(th), UDS&lt;UGS - UGS(th)

N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时，要求UGSQ&gt;______, UDSQ&gt;______。 A: UGS(th) , UGSQ-UGS(th) B: UDSQ , UGSQ+UGS(th) C: UGS(th) , UGSQ D: UGS(th) , UGSQ+UGS(th)

找出括号里读音不同的单词。 A: (th)ese B: ba(th) C: (th)ink D: heal(th)

找出括号里读音不同的单词。 A: (th)e B: (th)at C: mo(th)er D: (th)ick

[img=91x21]17de8822e93cbeb.png[/img]是吸热反应，正反应的活化能为Ea(1)，逆反应的活化能为Ea(2)，那么（ ）。 A: Ea(1)<;Ea(2) B: Ea(1)>;Ea(2) C: Ea(1)=Ea(2) D: Ea(1)=2Ea

若正反应的活化能为Ea，逆反应的活化能为Ea´,则正反应的热效应∆rHm为 A: ∆rHm=Ea´—Ea B: ∆rHm=|Ea´-Ea| C: ∆rHm=|Ea-Ea´| D: ∆rHm=-(Ea´-Ea)

若正反应的活化能为Ea，逆反应的活化能为Ea’，则正反应的热效应 DrHm为 A: DrHm＝Ea’－Ea B: DrHm＝│Ea’－Ea│ C: DrHm＝│Ea－Ea’│ D: DrHm＝－(Ea’－Ea)