• 2022-10-29 问题

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是: A: UGS> UGS(th), UDS> UGS - UGS(th) B: UGS> UGS(th), UDS< UGS - UGS(th) C: UGS<UGS(th), UDS> UGS - UGS(th) D: UGS< UGS(th), UDS<UGS - UGS(th)

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是: A: UGS> UGS(th), UDS> UGS - UGS(th) B: UGS> UGS(th), UDS< UGS - UGS(th) C: UGS<UGS(th), UDS> UGS - UGS(th) D: UGS< UGS(th), UDS<UGS - UGS(th)

  • 2022-10-30 问题

    增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>UGS(th) C: UGS>0 D: UGS<0

    增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>UGS(th) C: UGS>0 D: UGS<0

  • 2022-07-29 问题

    增强型NMOS管的截止条件为__( )____。 A: UGS > UT B: UGS < UT C: UDS = VDD D: UDS < VDD

    增强型NMOS管的截止条件为__( )____。 A: UGS > UT B: UGS < UT C: UDS = VDD D: UDS < VDD

  • 2022-06-14 问题

    欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道,应使()。 A: UGS>UGS,off B: UGS>UGS,th C: UGS<UGS,off D: UGS<UGS,th

    欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道,应使()。 A: UGS>UGS,off B: UGS>UGS,th C: UGS<UGS,off D: UGS<UGS,th

  • 2022-11-01 问题

    N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: uGS大于UGS(th)并且uGD大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th)并且uGD大于UGS(th) C: uGS大于UGS(th)并且uGD小于UGS(th) D: uGS小于UGS(th)并且uGD小于UGS(th)

    N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: uGS大于UGS(th)并且uGD大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th)并且uGD大于UGS(th) C: uGS大于UGS(th)并且uGD小于UGS(th) D: uGS小于UGS(th)并且uGD小于UGS(th)

  • 2022-07-26 问题

    N沟道结型场效应管工作在可变电阻区的条件是() A: uGS大于UGS(off)并且uGD小于UGS(off) B: uGS大于UGS(off)并且uGD大于UGS(off) C: uGS小于UGS(off)并且uGD大于UGS(off) D: uGS小于UGS(off)并且uGD小于

    N沟道结型场效应管工作在可变电阻区的条件是() A: uGS大于UGS(off)并且uGD小于UGS(off) B: uGS大于UGS(off)并且uGD大于UGS(off) C: uGS小于UGS(off)并且uGD大于UGS(off) D: uGS小于UGS(off)并且uGD小于

  • 2022-07-27 问题

    使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: UGS大于UGS(th) B: UGS小于UGS(th) C: UGS大于UGS(off) D: UGS小于UGS(off)

    使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: UGS大于UGS(th) B: UGS小于UGS(th) C: UGS大于UGS(off) D: UGS小于UGS(off)

  • 2022-07-27 问题

    使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是() A: uGS大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th) C: uGS大于UGS(off) D: uGS小于

    使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是() A: uGS大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th) C: uGS大于UGS(off) D: uGS小于

  • 2022-06-14 问题

    N沟道增强型MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0

    N沟道增强型MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0

  • 2022-10-30 问题

    增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0

    增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下,才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0

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