中国大学MOOC: 由TTL反相器的电压传输特性可知，其阈值电压VTH是（）左右。

Which one of the followings is NOT the criteria of strong inversion? A: Ψs=2ΨB B: W=Wm C: ρs=-2qNA D: V=Vth

由TTL反相器的电压传输特性可知，其阈值电压VTH是（）左右。 A: 5V B: 1.4V C: 3.4V D: 0.2V

1.1 Which one of the followings is NOT the criteria of strong inversion? A: V=Vth B: ρS=-2 q NA C: ψS=2ψB D: W=Wm

中国大学MOOC: 设一n沟增强型管VTH=2V，VGS=6V，源端接地，以下说法正确的是（ ）。

N沟道增强型绝缘栅场效应管只有外加栅源电压Vgs大于其开启电压Vth时才形成导电沟道

ORG0H A: IN:MOVTMOD, B: 22H C: VTH0, D: 0CEH E: VTL0, F: 0CEH G: VTH1, H: 38H I: VTL1, J: 38H K: TBET0 L: TBET1 M: TBEA N: TBP1.0 O: TBTR0 P: OP:SJMPLOOP Q: D

下列关于阈值电压的说法，不正确的是（） A: NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅压VGS B: 在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压 C: 当VGS>VTH时，NMOS器件导通 D: 若VTH=0，则 NMOS器件关断

已知增强型MOS管的VTH=2 V，各极电压如图所示， MOS管工作在（ ）状态。[img=132x150]17e0bba3ba1fc39.png[/img] A: 截至 B: 非饱和 C: 饱和 D: 击穿

下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（） A: 亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数 B: MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA, 常用于低功耗放大器、带隙基准设计 C: MOS管VGS由0增大到大于阈值电压VTH，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当VGS<VTH时，仍有IDS存在 D: 当VGS<VTH时，漏极电流ID以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失