以下CVD技术中，工作压强最低的一类方法是（ ）。 A: APCVD B: LPCVD C: UHV/CVD D: P-CVD
以下CVD技术中，工作压强最低的一类方法是（ ）。 A: APCVD B: LPCVD C: UHV/CVD D: P-CVD
以下关于CVD说法错误的是 A: 、CVD过程需要能量，根据能量的来源可将CVD分成热CVD，光CVD等 B: 、CVD不易实现高精度的膜层 C: 、CVD生产快，批量大，所以大多数制膜采用CVD D: 、PVD属于CVD的一种
以下关于CVD说法错误的是 A: 、CVD过程需要能量，根据能量的来源可将CVD分成热CVD，光CVD等 B: 、CVD不易实现高精度的膜层 C: 、CVD生产快，批量大，所以大多数制膜采用CVD D: 、PVD属于CVD的一种
CVD根据激活方式不同分为： A: 热激活CVD B: 等离子增强的反应沉积CVD C: 激光增强的反应沉积CVD D: 微波电子共振等子离CVD
CVD根据激活方式不同分为： A: 热激活CVD B: 等离子增强的反应沉积CVD C: 激光增强的反应沉积CVD D: 微波电子共振等子离CVD
② 下列哪一种CVD制膜方法使用了卤族灯加热（可以直接快速加热进行CVD反应）？ A: 、外延生长法 B: 、等离子CVD C: 、常压CVD D: 、RTP CVD
② 下列哪一种CVD制膜方法使用了卤族灯加热（可以直接快速加热进行CVD反应）？ A: 、外延生长法 B: 、等离子CVD C: 、常压CVD D: 、RTP CVD
④ 下面哪种CVD的类型有效大量降低了工艺温度 A: 、外延生长法 B: 、等离子CVD C: 、常压CVD D: 、减压CVD
④ 下面哪种CVD的类型有效大量降低了工艺温度 A: 、外延生长法 B: 、等离子CVD C: 、常压CVD D: 、减压CVD
关于CVD涂层，（）描述是不正确的。 A: CVD表示化学气相沉积 B: CVD是在400~600℃的较低温度下形成 C: CVD涂层具有高耐磨性 D: CVD对硬质合金有极强的粘附性
关于CVD涂层，（）描述是不正确的。 A: CVD表示化学气相沉积 B: CVD是在400~600℃的较低温度下形成 C: CVD涂层具有高耐磨性 D: CVD对硬质合金有极强的粘附性
关于CVD涂层，（）描述是不正确的。 A: CVD表示化学气相沉积 B: CVD是在700~1050℃高温的环境下通过化学反应获得的 C: CVD涂层具有高耐磨性 D: CVD对高速钢有极强的粘附性
关于CVD涂层，（）描述是不正确的。 A: CVD表示化学气相沉积 B: CVD是在700~1050℃高温的环境下通过化学反应获得的 C: CVD涂层具有高耐磨性 D: CVD对高速钢有极强的粘附性
CVD分 、 、 三期.
CVD分 、 、 三期.
LPCVD（低压CVD）
LPCVD（低压CVD）
a-Si：H以及合金材料，用（）、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。
a-Si：H以及合金材料，用（）、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。