LPCVD(低压CVD)
举一反三
- 以下CVD技术中,工作压强最低的一类方法是( )。 A: APCVD B: LPCVD C: UHV/CVD D: P-CVD
- 关于CVD方法,以下说法正确的是:() A: CVD过程中,温度较高时一定为扩散限制 B: APCVD的成膜质量要明显高于LPCVD C: PECVD的沉积温度要明显低于APCVD和LPCVD D: CVD技术可以作为一种表面改性技术
- 解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别,哪种工艺依赖于温度,LPCVD和APCVD各属于哪种类型?
- 以下属于多晶硅薄膜直接制备法的有( )。 A: 液相外延(LPE)法 B: 化学气相沉积(CVD)法 C: 等离子增强化学气相沉积(PECVD)法 D: 低压化学气相沉积(LPCVD)
- 目前典型的CVD系统主要可分为三种,其中淀积温度最高的是 。 A: APCVD B: PECVD C: LPCVD D: MOCVD