场效应管的跨导gm=IDQ/VGSQ
场效应管的跨导gm=IDQ/VGSQ
图示电路参数为VDD＝VSS＝5V，Rd＝5kΩ，RL＝5kΩ。场效应管参数Kn＝3mA/V2，λ＝0。若IDQ＝0.37mA，那么电路的小信号电压增益约为_________，输出电阻约为__________。[img=289x146]1802d7ccb05a70f.jpg[/img] A: 5.25，5kW B: -5.25，2.5kW C: -5.25，5kW D: 5.25，2.5kW E: 1.85，2.5kW
图示电路参数为VDD＝VSS＝5V，Rd＝5kΩ，RL＝5kΩ。场效应管参数Kn＝3mA/V2，λ＝0。若IDQ＝0.37mA，那么电路的小信号电压增益约为_________，输出电阻约为__________。[img=289x146]1802d7ccb05a70f.jpg[/img] A: 5.25，5kW B: -5.25，2.5kW C: -5.25，5kW D: 5.25，2.5kW E: 1.85，2.5kW
假设电路完全对称，且VDD=3V时，所有器件都饱和，那么Vout=（） A: VDD B: VDD-VGS3 C: 1.5V D: 2.3V
假设电路完全对称，且VDD=3V时，所有器件都饱和，那么Vout=（） A: VDD B: VDD-VGS3 C: 1.5V D: 2.3V
增强型NMOS管的截止条件为__( )____。 A: UGS > UT B: UGS < UT C: UDS = VDD D: UDS < VDD
增强型NMOS管的截止条件为__( )____。 A: UGS > UT B: UGS < UT C: UDS = VDD D: UDS < VDD
CMOS反相器的转折电压为VDD/2。
CMOS反相器的转折电压为VDD/2。
若555定时器的电源电压为+VDD,则两个参考电压分别为【】。 A: +VDD/+2VDD B: -2VDD/+3VDD C: -12VDD/+12VDD D: +23VDD/+13VDD
若555定时器的电源电压为+VDD,则两个参考电压分别为【】。 A: +VDD/+2VDD B: -2VDD/+3VDD C: -12VDD/+12VDD D: +23VDD/+13VDD
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是（）。
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是（）。
放大电路中的FET，首先能够确定的静态参数是 A: IGQ B: UGSQ C: IDQ D: UDSQ
放大电路中的FET，首先能够确定的静态参数是 A: IGQ B: UGSQ C: IDQ D: UDSQ
CMOS逻辑门输出高电平、低电平的典型值为 VDD和 。
CMOS逻辑门输出高电平、低电平的典型值为 VDD和 。
CMOS逻辑门输出高电平、低电平的典型值为 VDD和 。
CMOS逻辑门输出高电平、低电平的典型值为 VDD和 。