某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是（）。
举一反三
- 中国大学MOOC: 某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为：
- 某场效应管IDSS=6mA,而IDQ自漏极流出,大小为8mA,则此场效管为( )。 A: 耗尽型PMOS B: 耗尽型NMOS C: 增强型PMOS D: P沟道结型管
- 某场效应管的为6mA,而自漏极流出,大小为8mA,则该管是()。 A: P沟道结型管 B: N沟道结型管 C: 增强型PMOS管 D: 耗尽型PMOS管
- 某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为： A: N沟道结型管 B: P沟道结型管 C: 耗尽型PMOS管 D: 耗尽型NMOS管 E: 增强型PMOS管 F: 增强型NMOS管
- 某场效应管的漏极饱和电流IDSS=4mA，夹断电压Uth=3V，则该管为 沟道 型MOS管。