• 2022-06-19 问题

    P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。

    P沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。

  • 2022-06-19 问题

    N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。

    N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置() A: vGS为正,vDS为负; B: vGS为负,vDS为正; C: vGS为正,vDS为正; D: vGS为负,vDS为负。

  • 2022-07-26 问题

    场效应管的静态工作点由哪些参数决定 A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS

    场效应管的静态工作点由哪些参数决定 A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS

  • 2022-07-26 问题

    ​场效应管的静态工作点由哪些参数决定‍ A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS

    ​场效应管的静态工作点由哪些参数决定‍ A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS

  • 2022-07-26 问题

    ‌场效应管的静态工作点由哪些参数决定‍ A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS

    ‌场效应管的静态工作点由哪些参数决定‍ A: IB IC VCE B: VGS VDS ID C: VGS VDS IC D: IB ID VDS

  • 2022-05-30 问题

    我想你。 A: Je penses à toi. B: Je pense à toi. C: Je te penses. D: Je te pense.

    我想你。 A: Je penses à toi. B: Je pense à toi. C: Je te penses. D: Je te pense.

  • 2022-11-01 问题

    N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: vGS 大于VTN ,并且vDS <vGS-VTN B: vGS 大于VTN ,并且vDS >vGS-VTN C: vGS 小于VTN ,并且vDS >vGS-VTN D: vGS 小于VTN ,并且vDS <vGS-VTN

    N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: vGS 大于VTN ,并且vDS <vGS-VTN B: vGS 大于VTN ,并且vDS >vGS-VTN C: vGS 小于VTN ,并且vDS >vGS-VTN D: vGS 小于VTN ,并且vDS <vGS-VTN

  • 2022-05-28 问题

    在当前某个表中,如果字段je=djnum,则()命令可以自动填写所有记录的je字段。 A: Abrowse je=djnum B: Breplace all je=djnum C: Creplace allwith je=djnum D: Dlistall je=djnum

    在当前某个表中,如果字段je=djnum,则()命令可以自动填写所有记录的je字段。 A: Abrowse je=djnum B: Breplace all je=djnum C: Creplace allwith je=djnum D: Dlistall je=djnum

  • 2022-10-30 问题

    对于Al栅管,___大,击穿电压大;对于Si栅自对准管,___大,击穿电压大( )。 A: VGS,VDS B: VDS,VGS C: VGS,IDS D: IGS,VDS

    对于Al栅管,___大,击穿电压大;对于Si栅自对准管,___大,击穿电压大( )。 A: VGS,VDS B: VDS,VGS C: VGS,IDS D: IGS,VDS

  • 2022-06-19 问题

    P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。

    P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。

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