VDMOSFET的终端结构如图所示，该终端结构（ ）终端技术。[img=455x89]1803bdcd7edbac8.png[/img] A: 斜角 B: 截止环 C: 极板 D: 场效应环

关于IGBT的工作原理的描述,错误的是。 A: U_GE＞开启电压U_GE(th)时，MOSFET导通，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 B: 电导调制效应使电阻R_N增加，使通态压降增加。 C: 栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 D: IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，有电导调制效应，具有很强的通流能力。