• 2021-04-14 问题

    患者张某,疑似伤寒入院,两次取血做肥达反应的结果如下:入院后第四天结果:TH l:80,T0 1:80,TA、TB、TC l:40;入院后第十二天结果:TH、T0 1:320,TA、TB、TC l:40,可诊断为

    患者张某,疑似伤寒入院,两次取血做肥达反应的结果如下:入院后第四天结果:TH l:80,T0 1:80,TA、TB、TC l:40;入院后第十二天结果:TH、T0 1:320,TA、TB、TC l:40,可诊断为

  • 2022-05-30 问题

    OTA客户年度最高返利是(),TA客户年度最高返利是()。 A: 4%;6% B: 5%;7% C: 4%;7% D: 7%;10%

    OTA客户年度最高返利是(),TA客户年度最高返利是()。 A: 4%;6% B: 5%;7% C: 4%;7% D: 7%;10%

  • 2022-05-31 问题

    Qua quan sát và tính toán thời gian ______, lặn, di chuyển của mặt trời, mặt trăng, người ta phân chia thời gian theo ngày, tháng, năm và chia thành giờ phút. A: lặn B: mọc C: di chuyển D: mặt trời

    Qua quan sát và tính toán thời gian ______, lặn, di chuyển của mặt trời, mặt trăng, người ta phân chia thời gian theo ngày, tháng, năm và chia thành giờ phút. A: lặn B: mọc C: di chuyển D: mặt trời

  • 2022-06-04 问题

    陆相沉积、氧化环境、风化层的Th/U大于()。 A: 5 B: 6 C: 7 D: 8

    陆相沉积、氧化环境、风化层的Th/U大于()。 A: 5 B: 6 C: 7 D: 8

  • 2022-10-29 问题

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是? A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDSVGS-VGS(th) C: VGSVGS(th),VDS>VGS-VGS(th) D: VGS<VGS(th),VDSVGS-VGS(th)

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是? A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDSVGS-VGS(th) C: VGSVGS(th),VDS>VGS-VGS(th) D: VGS<VGS(th),VDSVGS-VGS(th)

  • 2022-10-29 问题

    N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是()(2) A: uGS&gt;uGS(th),uGD&gt; uGS(th) ; B: uGSGS(th),uGDGS(th) ; C: uGS&gt;uGS(th),uGDGS(th) ; D: uGSGS(th),uGD&gt;uGS(th) 。

    N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是()(2) A: uGS&gt;uGS(th),uGD&gt; uGS(th) ; B: uGSGS(th),uGDGS(th) ; C: uGS&gt;uGS(th),uGDGS(th) ; D: uGSGS(th),uGD&gt;uGS(th) 。

  • 2022-10-29 问题

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是: A: UGS&gt; UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) B: UGS&gt; UGS(th), UDS&lt; UGS - UGS(th) C: UGS&lt;UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) D: UGS&lt; UGS(th), UDS&lt;UGS - UGS(th)

    N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是: A: UGS&gt; UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) B: UGS&gt; UGS(th), UDS&lt; UGS - UGS(th) C: UGS&lt;UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) D: UGS&lt; UGS(th), UDS&lt;UGS - UGS(th)

  • 2022-10-30 问题

    N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时,要求UGSQ&gt;______, UDSQ&gt;______。 A: UGS(th) , UGSQ-UGS(th) B: UDSQ , UGSQ+UGS(th) C: UGS(th) , UGSQ D: UGS(th) , UGSQ+UGS(th)

    N沟道增强型MOSFET工作于放大工作状态时,要求UGSQ&gt;______, UDSQ&gt;______。 A: UGS(th) , UGSQ-UGS(th) B: UDSQ , UGSQ+UGS(th) C: UGS(th) , UGSQ D: UGS(th) , UGSQ+UGS(th)

  • 2022-06-06 问题

    找出括号里读音不同的单词。 A: (th)ese B: ba(th) C: (th)ink D: heal(th)

    找出括号里读音不同的单词。 A: (th)ese B: ba(th) C: (th)ink D: heal(th)

  • 2022-06-06 问题

    找出括号里读音不同的单词。 A: (th)e B: (th)at C: mo(th)er D: (th)ick

    找出括号里读音不同的单词。 A: (th)e B: (th)at C: mo(th)er D: (th)ick

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