理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有?? 本征状态|少子耗尽|少子积累|少子反型
举一反三
- 理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有? A: 多子积累 B: 多子耗尽 C: 平坦能带 D: 本征状态 E: 少子反型 F: 少子积累 G: 少子耗尽
- 对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时,处于哪种状态?? 少子反型|多子耗尽|少子积累|多子积累
- 对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时,处于哪种状态? A: 少子反型 B: 多子积累 C: 多子耗尽 D: 本征状态
- 对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时,处于哪种状态? A: 少子反型 B: 多子积累 C: 多子耗尽 D: 本征状态
- 对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时,处于哪种状态? A: 少子反型 B: 多子积累 C: 多子耗尽 D: 本征状态