与PN结电容有关的因素有:
A: 非平衡少子
B: 空间电荷
C: 平衡少子
A: 非平衡少子
B: 空间电荷
C: 平衡少子
举一反三
- 与PN结电容有关的因素有:[br][/br](多选题) A: 非平衡少子 B: 空间电荷 C: 平衡少子
- PN结的形成过程可以简述如下： A: 多子扩散，少子漂移，空间电荷区出现，达到动态平衡 B: 多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡 C: 少子漂移，空间电荷区出现，多子扩散，达到动态平衡 D: 少子漂移，多子扩散，空间电荷区出现，达到动态平衡
- PN结的形成过程可以简述如下:() A: 多子扩散,空间电荷区出现,少子漂移,达到动态平衡 B: 少子漂移,多子扩散,空间电荷区出现,达到动态平衡 C: 多子扩散,少子漂移,空间电荷区出现,达到动态平衡 D: 少子漂移,空间电荷区出现,多子扩散,达到动态平衡
- PN结外加正向电压时，下面错误的说法是（ ）。 A: N区的电子与空间电荷区中的杂质正离子复合，使得空间正电荷区变窄 B: P区的空穴与空间电荷区中的杂质负离子复合，使得空间负电荷区变窄 C: N区的电子顺着外电场方向运动，越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布 D: P区的空穴顺着外电场方向运动，越过PN结在N区形成非平衡少子空穴的浓度分布
- 直接复合时，小注入的N型半导体的非平衡载流子寿命主要决定于（ ）。 A: 少子浓度 B: 多子浓度 C: 非平衡少子浓度